PROPIEDADES MULTIFERROICAS DE ESTRUCTURAS MULTICAPAS DE BIFEO /COFE O A TEMPERATURA AMBIENTE

  • S. Rojas Flores Universidad Privada del Norte
  • M. Tomar Universidad de Puerto Rico

Resumen

Los dispositivos electrónicos de almacenamiento de datos en la actualidad son muy necesario y fundamentales, debido a la facilidad que le da al ser humano para compartir información. Estos dispositivos electrónicos están fabricados fundamentalmente en dos tipos de materiales, los cuales son conocidos como materiales multiferroicos. Los materiales multiferroicos se pueden fabricar en forma de películas delgadas. Las películas multicapas de BiFeO /CoFe O fueron depositadas por spin coating sobre 3 2 4 sustratos de Pt(Pt/TiO2/SiO2/Si) y recocidas a 700, 725 y 750 °C. Los precursores para las estructuras multicapas fueron sintetizadas por el método de solución química. Los patrones de difracción de rayos X del sistema multicapa revelan la estructura compuesta. La corriente de fuga se encontró a menos de 10-6 amp. para un campo eléctrico por debajo de 100 k/cm, el cual demuestra un comportamiento óhmico de BiFeO /CoFe O . La constante dieléctrica decrece con el incremento de la frecuencia en 3 2 4 el rango 103-106 Hz. El sistema BiFeO /CoFe O muestra la coexistencia de polarización 3 2 4 ferroeléctrica (Pr)=65 y 51μC/cm2 y magnetización (Mr)= 102 y 47 emu/gr a temperatura ambiente. Observándose respuesta ferromagnética y ferroeléctrica en sistemas multicapas que puede ser útil para dispositivos bi-funcionales. Palabras clave: materiales multiferroicos, método solución química, películas multicapas, ferroeletrico y ferromagnético

Publicado
2018-08-25
Sección
Resúmenes de Investigación